Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Диссоциативный режим ВЧ емкостного разряда низкого давления

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Лисовский, В.А.
dc.date.accessioned 2016-04-17T19:40:46Z
dc.date.available 2016-04-17T19:40:46Z
dc.date.issued 2006
dc.identifier.citation Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України / В.А. Лисовский // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 3-4. — С. 143–168. — Бібліогр.: 77 назв. — рос. uk_UA
dc.identifier.issn 1999-8074
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98793
dc.description.abstract В данной работе представлены результаты экспериментального исследования ВЧ емкостного разряда в SF₆, NF₃ и SiH₄ низкого давления. uk_UA
dc.description.abstract У роботі наведено результати експериментального дослідження ВЧ ємнісного розряду у SF₆, NF₃ та SiH₄ низького тиску. uk_UA
dc.description.abstract This paper presents the results of experimental studying rf capacitive discharge in low-pressure SF₆, NF₃ and SiH₄ . . uk_UA
dc.language.iso ru uk_UA
dc.publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Физическая инженерия поверхности
dc.title Диссоциативный режим ВЧ емкостного разряда низкого давления uk_UA
dc.title.alternative Дисоціативна мода вч ємнісного розряду низького тиску uk_UA
dc.title.alternative Dissociative mode in low-pressure rf discharge uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA
dc.identifier.udc 533. 915


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис