Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Лисовский, В.А. |
|
dc.date.accessioned |
2016-04-17T19:40:46Z |
|
dc.date.available |
2016-04-17T19:40:46Z |
|
dc.date.issued |
2006 |
|
dc.identifier.citation |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України / В.А. Лисовский // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 3-4. — С. 143–168. — Бібліогр.: 77 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
1999-8074 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98793 |
|
dc.description.abstract |
В данной работе представлены результаты экспериментального исследования ВЧ емкостного разряда в SF₆, NF₃ и SiH₄ низкого давления. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
У роботі наведено результати експериментального дослідження ВЧ ємнісного розряду у SF₆, NF₃ та SiH₄ низького тиску. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
This paper presents the results of experimental studying rf capacitive discharge in low-pressure SF₆, NF₃ and SiH₄ .
. |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Физическая инженерия поверхности |
|
dc.title |
Диссоциативный режим ВЧ емкостного разряда низкого давления |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Дисоціативна мода вч ємнісного розряду низького тиску |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Dissociative mode in low-pressure rf discharge |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
dc.identifier.udc |
533. 915 |
|
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті