Изготовлены и исследованы тестовые образцы фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) с p-i-n структурой на основе очень слабо легированных фосфором кристаллов кремния i(n-)-типа проводимости толщиной около 300 мкм с удельным ...

На основе метода расщепления по процессам дифракции и усиления-рефракции проведена оценка влияния активной среды на профиль излучения в предложенной конструкции нового волноводного СО2-лазера с однородным выходным пучком. ...