Побудовано математичну модель топології розподілу 2D-електростатичного поля в діоді Шотткі з вбудованим шаром квантових точок, яка представляється у вигляді крайової задачі для двовимірного рівняння Пуассона з неоднорідністю у вигляді ряду з узагальнених функцій. Побудований чисельний алгоритм розв’язування крайової задачі методом послідовних надрелаксцій.
The mathematical model topology distribution 2D-electrostatic field in the Schottky diode with built-in layer of quantum dots, which is represented as a boundary value problem for two dimensional Poisson equation with the heterogeneity in the form of series of generalized functions. The numerical algorithm for solving boundary value problems by the method of successive overrelaxation.