Исследованы электрофизические свойства новых композиционных материалов на основе нанокристаллического сульфида серебра, полихлортрифторэтилена (ПХТФЭ) и высокодисперсного кремнезема. Получены зависимости действительной и мнимой составляющих комплексной диэлектрической проницаемости от объемного содержания Ag₂S для систем ПХТФЭ–Ag₂S, ПХТФЭ–Ag₂S/SіO2 и ПХТФЭ/Ag₂S в сверхвысокочастотном диапазоне. Определены пороги перколяций для указанных систем, значения которых составляют 0,2, 0,12, и 0,1 объемных долей Ag₂S, соответственно.
Досліджено електрофізичні властивості нових композиційних матеріалів на основі нанокрісталічного сульфіду срібла, поліхлортрифторетилену та високодисперсного кремнезему. Отримано залежності дійсної і уявної складових комплексної діелектричної проникності від об'ємного змісту Ag₂S для систем ПХТФЕ–Ag₂S, ПХТФЕ–Ag₂S/SіО2 та ПХТФЕ/Ag₂S у надвисокочастотному діапазоні. Визначено пороги перколяцій для зазначених систем, значення яких становлять 0,2, 0,12, та 0,1 об'ємних часток Ag₂S, відповідно.
Electrophysical properties of new composite materials based on nanocrystalline silver sulphide, polychlortrifluoroethylene and highly dispersed silica have been studied. Relationship between values valid and imaginary components of complex dielectric permittivity and concentration of the Ag₂S for systems PCTFE–Ag₂S, PCTFE–Ag₂S/SіO2 and PCTFE/Ag₂S within microwave band were found. The determined values of percolation threshold for such systems make 0,2, 0,12, and 0,1 volume parts of Ag₂S respectively.
Авторы благодарят к.х.н. Мищенко В.Н. (Институт химии поверхности им. А.А.Чуйко НАН Украины) за ценные рекомендации по гидрофилизации частиц полихлортрифторэтилена.