Studying electro-physical characteristics of detecting elements on the ohmic side of silicon microstrip detector

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення ядерної фізики та енергетики
→
Вопросы атомной науки и техники
→
Bопросы атомной науки и техники, 2005
→
Вопросы атомной науки и техники, 2005, № 6
→
Переглянути статтю

Studying electro-physical characteristics of detecting elements on the ohmic side of silicon microstrip detector

Maslov, N.I. ; Potin, S.M. ; Starodubtsev, A.F.

Інші назви: Дослідження електрофізичних характеристик детектуючих елементів на омічній стороні кремнієвого мікрострипового детектора
Исследование электрофизических характеристик детектирующих элементов на омической стороне кремниевого микрострипового детектора

Тема: Экспериментальные методы и обработка даных

Інший ID: PACS: 29.40.Wk

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/81227

Посилання: Studying electro-physical characteristics of detecting elements on the ohmic side of silicon microstrip detector / N.I. Maslov, S.M. Potin, A.F. Starodubtsev // Вопросы атомной науки и техники. — 2005. — № 6. — С. 50-53. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.

Дата: 2005

Завантажень: 376

Studying electro-physical characteristics of detecting elements on the ohmic side of silicon microstrip detector

Анотація:

The results of studying the ohmic side of the double-sided microstrip detectors (DSMD) possessing the diode separating p⁺ stop structure of different type and size are presented. The effect of the p⁺ stop structure on the DSMD interstrip resistance and interstrip capacitance is considered.

Представлено результати дослідження омічної сторони двосторонніх мікрострипових детекторів (ДСМД), які мають діодну розділяючу p⁺ стоп-структуру різного типу та розміру. Розглянуто вплив p⁺ стоп-структури на міжстрипову ємність та міжстриповий опір ДСМД.

Представлены результаты исследования омической стороны двухсторонних микростриповых детекторов (ДСМД), имеющих диодные разделяющие p⁺ стоп-структуры различных типов и размера. Рассмотрено влияние p⁺ стоп-структуры на межстриповую емкость и межстриповое сопротивление ДСМД.

Показати повний запис статті