Повышение физических, механических и химических характеристик тонких нитридных пленок зависит от методов их осаждения и усовершенствования структуры, которая и определяет получаемые свойства. Методом ионной имплантации и конденсации и ионной бомбардировки получены пленки нитридов на подложках Ti, Ta, W, Mo, Ni, Si (111) и NaCl (100), изучены их физические, электрические, химические характеристики.
Підвищення фізичних, механічних і хімічних характеристик тонких нітридних плівок залежить від методів їх осадження та удосконалення структури, яка і визначає одержувані властивості. Методом іонної імплантації та конденсації іонного бомбардування отримані плівки нітридів на підкладках Ti , Ta , W , Mo , Ni , Si ( 111 ) і NaCl ( 100 ), вивчено їх фізичні, електричні, хімічні характеристики.
Improvement of physical, mechanical and chemical properties of thin nitride films depends on the methods of their deposition and improvement of the structure, which determines the obtained properties. In the production of nitride films, which are promising in solidstate microelectronics and instrument engineering, various reactive sputtering methods are widely used. For the solution of these problems, relatively new methods - ion implantation method (II) and condensation and ion bombardment (CIB) method, carried out on the "Bulat" installation are quite promising. However, films, obtained by various methods using the same initial materials, as a rule, have various characteristics. In this paper, the films of nitrides on Ti, Ta, W, Mo, Ni, Si (111) and NaCl (100) substrates were obtained by the above methods, their physical, electrical and chemical characteristics were studied. The kinetics and mechanism of build-up of the obtained film coatings were established, the growth constant was calculated. Due to the study of physicochemical properties of films, obtained by various methods it is possible to obtain film coatings with previously predicted properties.
