Characteristics of semiconductor spectrometer and neutronography setting were investigated using system analysis methods.
Розглянуто вплив параметрів напівпровідникового спектрометру з CdZnTe на енергетичну роздільність
та вплив параметрів системи формування пучку на потік нейтронів для нейтронографічного пристрою.
Рассмотрено влияние параметров полупроводникового спектрометра на основе CdZnTe на энергетическое разрешение и влияние параметров системы формирования пучка на поток нейтронов для нейтронографической установки.