Radiation tolerance investigation of a Si detectors and microelectronics using NSC KIPT linacs

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення ядерної фізики та енергетики
→
Вопросы атомной науки и техники
→
Bопросы атомной науки и техники, 2001
→
Вопросы атомной науки и техники, 2001, № 3
→
Переглянути статтю

Radiation tolerance investigation of a Si detectors and microelectronics using NSC KIPT linacs

Dovbnya, A.N. ; Maslov, N.I. ; Dovbnya, N.A.

Інші назви: Исследование стойкости к излучению Si детекторов и микроэлектроники с использованием линейных ускорителей ННЦ ХФТИ

Інший ID: PACS numbers: 29.40.Wk

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/79269

Посилання: Radiation tolerance investigation of a Si detectors and microelectronics using NSC KIPT linacs / A.N. Dovbnya, N.I. Maslov, N.A. Dovbnya // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 3. — С. 164-166. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Дата: 2001

Завантажень: 364

Radiation tolerance investigation of a Si detectors and microelectronics using NSC KIPT linacs

Анотація:

A possibility of full irradiation tests of semiconductor detectors and microelectronics using electron accelerators are considered in the present work. The techniques for irradiation and for detector tests were described. The data on the efficiency of electron and bremsstrahlung action on the Si bulk material are presented.

Показати повний запис статті