Вплив тиску на електрофізичні властивості границі розділу гетероконтактів на основі шаруватих кристалів

Abstract

Вивчено вплив одноосного тиску від 0 до 100 кПа при постійній температурі 300 K в напрямку перпендикулярному до площини локалізації границі розділу гетеропереходів n-InSe–p-GaSe на зміну електричних та фотоелектричних параметрів. Знайдено, що густина струму через гетерограницю зростає при збільшенні тиску внаслідок збільшення площі прямого контакту між поверхнями шаруватих кристалів GaSe та InSe. Зміни електричних та фотоелектричних параметрів гетероконтактів InSe/GaSe обговорюються з точки зору модифікації проміжного шару. Результати проведених досліджень свідчать про можливість керованої зміни параметрів гетеропереходів та варіювати використання їх у пристоях оптоелектроніки.

Изучено влияние одноосного давления от 0 до 100 кПа при постоянной температуре 300 K в направлении перпендикулярном к плоскости локализации границы раздела гетеропереходов n-InSe–p-GaSe на изменение электрических и фотоэлектрических параметров. Найдено, что плотность тока через гетерограницу увеличивается вследствие увеличения площади прямого контакта между поверхностями слоистых кристаллов GaSe и InSe. Изменение электрических и фотоэлектрических параметров гетероконтакта InSe/GaSe обсуждаются с точки зрения модификации границы раздела. Результаты проведенных исследований свидетельствуют о возможности управляемого изменения параметров гетеропереходов и варьировать использование их в приборах оптоэлектроники.

The effect of uniaxial pressure from 0 to 100 kPa at a constant temperature 300 K in the direction perpendicular to the localization plane of the interface for n-InSe–p-GaSe heterojunction on a variation on the electrical and fotoelectrical parameters is studied. It has been found that the density of a current through heteroboundary increases by increase of a pressure due to increase of the area of direct contact between surfaces of layered GaSe and InSe crystals. The changes of the electrical and fotoelectrical parameters of the InSe/GaSe heterojunction are discussed from the point of view modification of the interface layer. These results indicate that it is possible to direct change the parameters of heterojunctions and to vary the uses in the devices of optoelectronics.