Радиационные эффекты в арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структурах, возникающие под воздействием γ и β излучения

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення ядерної фізики та енергетики
→
Вопросы атомной науки и техники
→
Bопросы атомной науки и техники, 2001
→
Вопросы атомной науки и техники, 2001, № 2
→
Переглянути статтю

Радиационные эффекты в арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структурах, возникающие под воздействием γ и β излучения

Исмайлов, К.А. ; Статов, В.А. ; Тагаев, М.Б. ; Камалов, А.Б.

Тема: Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах

УДК: 621. 382.2

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/78346

Посилання: Радиационные эффекты в арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структурах, возникающие под воздействием γ и β излучения / К.А. Исмайлов, В.А. Статов, М.Б. Тагаев, А.Б. Камалов // Вопросы атомной науки и техники. — 2001. — № 2. — С. 63-65. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Дата: 2001

Завантажень: 555

Радиационные эффекты в арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структурах, возникающие под воздействием γ и β излучения

Анотація:

Приведены экспериментальные данные о влиянии γ- и β-излучений на вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики диодных структур с барьером Шоттки Au-Al-GaAs и Au-Ti-GaAs. Обнаружен интервал доз, в котором улучшаются параметры диодных структур.

Наведені експериментальні дані про вплив γ- та β-випромінювань на вольт-амперні та вольт-фарадні характеристики діодних структур з бар’єром Шоттки Au-Al-GaAs та Au-Ti-GaAs. Виявлено інтервал доз, в якому покращуються параметри діодних структур.

The experimental data on γ- and β-irradiation effect on the volt amper and volt-farad characteristics of diod structures with Schottky barrier Au-Al-GaAs and Au-Ti-GaAs are presented . The dose interval with this improved diode structures parameters is revealed.

Показати повний запис статті