У гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з ланцюгами квантових точок досліджено властивості латерального фотоструму, викликаного оптичним перезарядженням центрів електронної локалізації. В кінетиці фотоструму структур виявлено довготривалу динаміку наростання та релаксації, а також ефект залишкової провідности після вимкнення збуджувального випромінення. Встановлено присутність глибоких центрів прилипання для електронів, які значною мірою впливають на транспорт носіїв заряду та на процеси рекомбінації. Температурними дослідженнями виявлено ефект термостимульованої провідности в гетероструктурі. За формою кривої термостимульованого струму одержано значення глибини залягання рівня прилипання відносно зони провідности – 0,17 еВ.
Properties of the lateral photocurrent, which is caused by optical recharging of centres of electron localization in In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs heterostructures with quantum-dot chains, are investigated. Long-term dynamics of increasing and relaxation of photocurrent as well as effect of residual conductivity after excitingradiation turning-off are revealed in photocurrent kinetics. Deep trap levels for electrons are found. They considerably affect to charge-carrier transport and recombination. Effect of the thermally stimulated conductivity is discovered by temperature measurements. The trap-level depth of 0.17 eV with reference to GaAs conductivity band is obtained from analysis of the shape of thermally stimulated current curve.
В гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs с цепочками квантовых точек исследованы свойства латерального фототока, вызванного оптической перезарядкой центров электронной локализации. В кинетике фототока структур выявлены долговременная динамика нарастания и релаксации, а также эффект остаточной проводимости после выключения возбуждающего излучения. Установлено присутствие глубоких центров прилипания для электронов, которые в значительной степени влияют на транспорт носителей заряда и на процессы рекомбинации. Температурными исследованиями обнаружен эффект термостимулированной проводимости в гетероструктуре. Из анализа формы кривой термостимулированного тока получено значение глубины залегания уровня прилипания относительно зоны проводимости – 0,17 эВ.
