Датчики приближения и положения на основе индуктивных балансных сенсоров

dc.contributor.author	Негоденко, О.Н.
dc.contributor.author	Семенцов, В.И.
dc.contributor.author	Мардамшин, Ю.П.
dc.date.accessioned	2014-11-15T16:46:57Z
dc.date.available	2014-11-15T16:46:57Z
dc.date.issued	2001
dc.identifier.citation	Датчики приближения и положения на основе индуктивных балансных сенсоров / О.Н. Негоденко, В.И. Семенцов, Ю.П. Мардамшин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 53-55. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70880
dc.description.abstract	Предлагается повышать чувствительность индуктивных балансных сенсоров (ИБС) настройкой выходного контура в резонанс с частотой генератора, а также увеличением количества входных катушек. Это позволяет увеличить расстояние переключения датчиков приближения в 2–3 раза. На изогнутых ИБС реализуются датчики приближения проводящих предметов при любом направлении их движения, однако расстояние переключения при этом невелико. Датчик положения с ИБС применен в определителе скорости течения воды.	uk_UA
dc.description.sponsorship	Работа выполнена при поддержке совместного гранта Минобразования РФ и Американского фонда гражданских исследований и развития № REC-004.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Датчики	uk_UA
dc.title	Датчики приближения и положения на основе индуктивных балансных сенсоров	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.316.826