Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра

dc.contributor.author	Добровольский, Ю.Г.
dc.contributor.author	Рюхтин, В.В.
dc.contributor.author	Шимановский, А.Б.
dc.date.accessioned	2014-11-15T16:41:26Z
dc.date.available	2014-11-15T16:41:26Z
dc.date.issued	2001
dc.identifier.citation	Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра / Ю.Г. Добровольский, В.В. Рюхтин, А.Б. Шимановский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 44-46. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70876
dc.description.abstract	Разработаны кремниевые p—n-фотодиоды, чувствительные к ближней области ультрафиолетового излучения (до 190 нм). Высокий уровень токовой монохроматической чувствительности в этой области спектра (0,1 А/Вт) достигнут повышением концентрации бора в легированной области до 6·10¹⁹ см⁻³ и формированием резкого p—n-перехода с глубиной залегания до 0,2 мкм. Длительность наработки фотодиодов составляет 100000 ч.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Компоненты для электронной аппаратуры	uk_UA
dc.title	Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	537.312.5:621.383.52