Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения

Abstract

Исходные монокристаллы СdZnTe (КЦТ) имеют большое число дефектов, что снижает сопротивление кристалла и увеличивает шумы прибора. Природа и роль подобных дефектов исследованы методом термостимулированной проводимости. Для улучшения свойств КЦТ их подвергали термополевой обработке, в результате чего сопротивление кристаллов увеличилось на 20%, амплитуда шума уменьшилась в 5–8 раз, улучшилась форма спектра излучения γ-¹³⁷Cs. Созданные на основе КЦТ детекторы обнаружили анизотропию чувствительности к γ-излучению: при компланарном расположении пучка γ-квантов и вектора электрического поля параметры прибора оптимальны.

The CdZnTe initial monocrystals have a wide range of defects that lowers resistance of crystal and increases noises of device. The natur and role of such devices by method of conductivity of thermostimulation have been investigated. For improvement CdZnTe properties they have been subjected to heat-field processing as a result of wich the resistance of crystals on 20% has been increased, noise amplitude in 5–8 times has been decreased, the shape of a spectrum of gamma radiation ¹³⁷Cs has been improved. The detectors created on base of CdZnTe have found out anizotroping sensitivity to gamma radiation at complaner arrangement of a gamma quantum beam and a vector of an electrical field the parameters of device are optimum.