Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe

dc.contributor.author	Завадский, В.А.
dc.contributor.author	Зубарев, В.В.
dc.contributor.author	Мокрицкий, В.А.
dc.date.accessioned	2014-11-15T14:11:04Z
dc.date.available	2014-11-15T14:11:04Z
dc.date.issued	2001
dc.identifier.citation	Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe / В.А. Завадский, В.В. Зубарев, В.А. Мокрицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 3. — С. 4-5. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70852
dc.description.abstract	Выполнено исследование влияния радиационной обработки быстрыми электронами на фоторезисторы на основе соединения "кадмий—ртуть—теллур" при температуре 80 и 120 К. Приведен анализ дозовой зависимости темновых тока и сопротивления при облучении дозами 10¹³–10¹⁵ см⁻² и выше.	uk_UA
dc.description.abstract	The research of influence of radiation processing by high-energy electrons on photoreceivers on the base of cadmium—mercury—tellurium composition at 80 and 120 K temperature has been curried out. The analysis of dose dependence of dark current and resistance at irradiation by 10¹³–10¹⁵ cm⁻² doses and more has been given.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Материалы для микроэлектроники	uk_UA
dc.title	Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe	uk_UA
dc.title.alternative	The irradiation of IR-photoreceivers based on CdHgTe	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.37/39.193:539.216:539.211