Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
Інші назви:
Сонячні елементи на основі тандемиих гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
Тема:
Энергетическая микроэлектроника
УДК:
621.383
Посилання:
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs / С.И. Круковский, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 39-40. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
Дата:
2003
Переглядів:
1044
Завантажень:
1913
Анотація:
Cообщается об изготовлении и исследовании тандемных солнечных элементов на основе GaAs-InGaAs-AlGaAs с активной площадью 0,93 см². Туннельный переход применяется для соединения между собой верхней (AlGaAs) и нижней (InGaAs) ячеек тандемного солнечного элемента. Измеренные при спектральных условиях АМ 1,5 (1 солнце) значения плотности фототока и напряжения холостого хода достигали значений 14,2-15,1 мА/см² и 2,35-2,43 В, соответственно, а коэффициент полезного действия - 26,4-30,1%.
