Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003, № 6 за темою "Материалы для микроэлектроники"

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003, № 6 за темою "Материалы для микроэлектроники"

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки 
    Марончук, И.Е.; Курак, В.В.; Андронова, Е.В.; Баганов, Е.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Рассмотрены особенности выращивания гетероструктур GaSb/InAs из жидкой фазы. Предложен модифицированный метод импульсного охлаждения раствора-расплава, позволяющий избежать растворения подложки InAs при контакте с неравновесной ...
  • Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений 
    Кондрик, А.И.; Ковтун, Г.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Методом компьютерного моделирования исследовались дрейфовая подвижность электронов проводимости (µ) и удельное сопротивление (ρ) материала детекторов CdZnTe в зависимости от примесного состава и мольной доли соединения ...
  • Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров 
    Дружинин, А.А.; Марьямова, И.И.; Матвиенко, С.Н.; Хорвенко, Ю.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Исследованы образцы поликремния р-типа на диэлектрических подложках в диапазоне температур 4,2-300 К и магнитных полях до 14 Тл, а также влияние деформации на их сопротивление. Показано, что слаболегированные нерекристаллизованные ...
  • Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия 
    Мокрицкий, В.А.; Гаркавенко, А.С.; Зубарев, В.В.; Ленков, С.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Выполнено экспериментальное исследование возможности получения слоев с дырочной проводимостью в монокристаллах CdS и GaAs с помощью радиационного легирования. Для этого использован моноэнергетический поток быстрых нейтронов ...

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис