Круковский, С.И.; Николаенко, Ю.Е.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
Cообщается об изготовлении и исследовании тандемных солнечных элементов на основе GaAs-InGaAs-AlGaAs с активной площадью 0,93 см². Туннельный переход применяется для соединения между собой верхней (AlGaAs) и нижней (InGaAs) ...