Долголенко, А.П.
(Вопросы атомной науки и техники, 2011)
Рассмотрена область температур диффузного и дрейфового движений электронов в n-Si, выращенном методом Чохральского, после облучения быстрыми нейтронами реактора. Описаны температурные зависимости концентрации носителей в ...