Рассмотрена область температур диффузного и дрейфового движений электронов в n-Si, выращенном методом Чохральского, после облучения быстрыми нейтронами реактора. Описаны температурные зависимости концентрации носителей в проводящей матрице и в объёме образцов и рассчитаны дрейфовые барьеры, определяющие их удельное сопротивление. В рамках уточнённой модели эффективной среды описана температурная зависимость удельного сопротивления n-Si (ρ₀ ═ 40 Ом·см) после облучения быстрыми нейтронами реактора. Подтверждено, что рассеяние носителей на заряженных дефектах и кластерах при учёте дрейфовых барьеров определяют температурную зависимость подвижности электронов в n-Si с введёнными кластерами дефектов.
Розглянуто області температур дифузного і дрейфового руху електронів у n-Si, вирощеного методом Чохральського, після опромінення швидкими нейтронами реактора. Описано температурні залежності концентрації носіїв у провідній матриці й у всьому зразку і розраховані дрейфові бар'єри, що визначають їхній питомий опір. У рамках уточненої моделі ефективного середовища описана температурна залежність питомого опору n-Si (ρ₀ ═ 40 Ом·см) після опромінення швидкими нейтронами реактора. Підтверджено, що розсіювання носіїв на заряджених дефектах і кластерах при обліку дрейфових бар'єрів визначають температурну залежність рухливості електронів у n-Si із уведеними кластерами дефектів.
The area of temperatures of diffuse and drift movement electrons in n-Si, grown up by Czochralski method, after irradiation fast neutrons of a reactor is considered. Temperature dependencies of carrier concentrations in a conducting matrix and in volume of samples are described and the drift barriers determining their specific resistance are calculated. Within the limits of the specified model of the effective environment temperature dependence of specific resistance n-Si (ρ₀ ═ 40 Ω·cm) after an irradiation is described by fast neutrons of a reactor. It is shown that the account of drift barriers and defects recharges in the space-charge areas of defect clusters describes temperature dependence of specific resistance more precisely. It is confirmed that scattering of carriers on the charged defects and clusters at the account of drift barriers defines temperature dependence of mobility electrons in n-Si with introduced clusters of defects.
