Алиев, Р.; Мухтаров, Э.; Олимов, Л.
(Физическая инженерия поверхности, 2010)
В работе описаны результаты разработки нового неразрушающего метода измерения глубины
залегания р-n-перехода в структурах, предназначенных для изготовления фотоэлектрических
приборов. Предложенный метод позволяет ...