Поперечная проводимость и псевдощель в монокристаллах Y1-zPrzBa2Cu3O7-δ с различным содержанием празеодима

Abstract

Исследованы температурные зависимости электросопротивления вдоль оси с монокристаллов Y1–zPrzBa2Cu3O7–δ с различным содержанием празеодима 0.0 ≤ z ≤ 0.5. Обнаружено, что в случае соединения Y1–zPrzBa2Cu3O7–δ при увеличении концентрации празеодима происходит усиление процессов локализации носителей, которое сопровождается переходом от псевдощелевого (ПЩ) режима к режиму прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка.

Досліджено температурні залежності електроопору вздовж осі с монокристалів Y1–zPrzBa2Cu3O7–δ з різним вмістом празеодиму 0.0 ≤ z ≤ 0.5. Виявлено, що у разі сполуки Y1–zPrzBa2Cu3O7–δ при збільшенні концентрації празеодиму відбувається посилення процесів локалізації носіїв, яке супроводжується переходом від псевдощілинного (ПЩ) режиму до режиму стрибкової провідності зі змінною довжиною стрибка.

In the present work, the temperature dependence of the resistivity along the c-axis is investigated in the Y1–zPrzBa2Cu3O7–δ single crystals with different praseodymium content 0.0 ≤ z ≤ 0.5. It is determined, that in case of the Y1–zPrzBa2Cu3O7–δ compounds with the increase of the praseodymium contents, there is a reinforcement of the processes of the carrier localization. This is accompanied in turn by the transition from a pseudogap regime to the variable-range-hopping regime.