Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия

dc.contributor.author	Борисенко, А.Г.
dc.contributor.author	Полозов, Б.П.
dc.contributor.author	Федорович, О.А.
dc.contributor.author	Болтовец, Н.С.
dc.contributor.author	Иванов, В.Н.
dc.contributor.author	Свешников, Ю.Н.
dc.date.accessioned	2014-01-25T21:21:15Z
dc.date.available	2014-01-25T21:21:15Z
dc.date.issued	2005
dc.identifier.citation	Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия / А.Г. Борисенко, Б.П. Полозов, О.А. Федорович, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Ю.Н. Свешников // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 6. — С. 42-46. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53683
dc.description.abstract	Описаны особенности технологии травления сложных наноструктур, содержащих эпитаксиальные слои нитрида галлия, нанесенные на подложки из сапфира. Изготовлены высокотемпературные датчики Холла.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Технологические процессы и оборудование	uk_UA
dc.title	Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия	uk_UA
dc.title.alternative	Плазмохімічне травлення епітаксійних структур нітріда галію	uk_UA
dc.title.alternative	Plasmochemical etching of epitaxial nitride gallium structures	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA