СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов

dc.contributor.author	Григорьянц, В.В.
dc.contributor.author	Долгов, А.П.
dc.contributor.author	Кочмарёв, Л.Ю.
dc.contributor.author	Шилов, И.П.
dc.date.accessioned	2014-01-25T21:14:57Z
dc.date.available	2014-01-25T21:14:57Z
dc.date.issued	2005
dc.identifier.citation	СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов / В.В. Григорьянц, А.П. Долгов, Л.Ю. Кочмарёв, И.П. Шилов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 6. — С. 39-42. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53682
dc.description.abstract	Представлены результаты разработки технологии и исследования оптических характеристик высокоапертурных ПОВ на основе SiO₂-F \| SiO₂ \| SiO₂-F-структур, формируемых в плазме СВЧ-разряда.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Технологические процессы и оборудование	uk_UA
dc.title	СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов	uk_UA
dc.title.alternative	НВЧ плазмохімічне осадження структур для високоапертурних планарних оптичних хвилеводів	uk_UA
dc.title.alternative	Microwave plasmochemical deposition of structures for highaperture planar optical waveguide	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA