Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности

Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности

Кушниренко, В.В. ; Нинидзе, Г.К. ; Павлюк, С.П. ; Коноваленко, Л.Д.

Інші назви: Дослідження кремнієвих дифузійних резисторів при протіканні імпульсного струму великої щільності
Investigation of silicon diffusion resistors at course of a pulse of a high current

Тема: Функциональная микро- и наноэлектроника

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53626

Посилання: Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности / В.В. Кушниренко, Г.К. Нинидзе, С.П. Павлюк, Л.Д. Коноваленко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 23-26. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Дата: 2005

Завантажень: 453

Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности

Анотація:

Определены параметры кремниевых диффузионных резисторов, необходимые для расчета их конструктивных и эксплуатационных характеристик. Предложена физическая модель, описывающая закономерности, происходящие в резисторах.

Показати повний запис статті