Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
Інші назви:
Ємнісні властивості МДН-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
The capacitance properties of MIS-structures HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
The capacitance properties of MIS-structures HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
Тема:
Функциональная микро- и наноэлектроника
Посилання:
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ / А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, Н.А. Кульчицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 35-38. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.
Дата:
2005
Переглядів:
822
Завантажень:
596
Анотація:
Экспериментальные исследования показали, что использование двухслойногоe диэлектрика SiO₂/Si₃N₄ перспективноe для пассивации поверхности матричных HgCdTe-фотодиодов для инфракрасного диапазона.
