Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов

dc.contributor.author	Яцуненко, А.Г.
dc.contributor.author	Ковтонюк, В.М.
dc.contributor.author	Иванов, В.Н.
dc.contributor.author	Николаенко, Ю.Е.
dc.date.accessioned	2014-01-23T00:08:31Z
dc.date.available	2014-01-23T00:08:31Z
dc.date.issued	2005
dc.identifier.citation	Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов / А.Г. Яцуненко, В.М. Ковтонюк, В.Н. Иванов, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 46-48. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53575
dc.description.abstract	На основе специально разработанного слаботочного диода Ганна, работающего в диапазонах длин волн 42—53 ГГц и 56—65 ГГц, усовершенствованы аппараты КВЧ-терапии.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Интегральные схемы и полупроводниковые приборы	uk_UA
dc.title	Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов	uk_UA
dc.title.alternative	Слабкострумові діоди Ганна на основі арсеніду галія для НВЧ-апаратів	uk_UA
dc.title.alternative	Low current Gunn diodes on a basis GaAs for EHF-devices	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA