Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Кутний, В.Е. |
|
dc.contributor.author |
Кутний, Д.В. |
|
dc.contributor.author |
Рыбка, А.В. |
|
dc.contributor.author |
Абызов, А.С. |
|
dc.contributor.author |
Давыдов, Л.Н. |
|
dc.contributor.author |
Наконечный, Д.В. |
|
dc.contributor.author |
Шляхов, И.Н. |
|
dc.date.accessioned |
2014-01-22T23:45:35Z |
|
dc.date.available |
2014-01-22T23:45:35Z |
|
dc.date.issued |
2005 |
|
dc.identifier.citation |
Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения / В.Е. Кутний, Д.В. Кутний, А.В. Рыбка, А.С. Абызов, Л.Н. Давыдов, Д.В. Наконечный, И.Н. Шляхов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 12-15. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
2225-5818 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53566 |
|
dc.description.abstract |
Рассмотрено влияние термообработки (ТО) на вольт-амперные и спектрометрические характеристики детекторов γ-излучения из соединения Cd₀,₉Zn₀,₁Te p-типа. Определен оптимальный режим ТО. |
uk_UA |
dc.language.iso |
ru |
uk_UA |
dc.publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|
dc.subject |
Функциональная микроэлектроника |
uk_UA |
dc.title |
Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Вплив термообробки на електрофізичні властивості CdZnTe-детекторів γ-випромінювання |
uk_UA |
dc.title.alternative |
The influence of heat treatment on electrophysical properties of CdZnTe gamma-radiation detectors |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті