Рассмотрена технология получения крупногабаритных монокристаллов CdWO₄ методом Чохральского. Приведены оптические и сцинтилляционные характеристики получаемых кристаллов и детекторов на их основе.

Изменением соотношения компонентов шпинели Cu1-x-yCo2yMn2-yO4 получены толстопленочные терморезисторы с удельным объемным электросопротивлением 1,5-33 Омм и тепловой константой В25/85 2980-3690 К.

На основе публикаций последних лет рассмотрены изменения рынка арсенида галлия после кризиса 2001 г., предложена периодизация и описаны тенденции развития рынка приборов на его основе, а также состояние российского рынка.

Рассмотрены методы получения пористого карбида кремния, а также влияние режимов травления на морфологию пористого слоя.

Путем изготовления электродов состава SiO₂:Zn и их плавления получены кристаллы кремния со степенью чистоты 99,993 мас. %.

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии селенида кадмия на слоистую подложку GaTe получена структура многокомпонентного состава с присутствием незначительной части металлического кадмия.