Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
Інші назви:
Прогнозування розбіжності параметрів польових транзисторів з бар'єром Шоткі на GaAs
Prediction of GaAs metal-semiconductor field-effect transistor parameter spread
Prediction of GaAs metal-semiconductor field-effect transistor parameter spread
Тема:
Функциональная микро- и наноэлектроника
Посилання:
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 36-39. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
Дата:
2006
Переглядів:
811
Завантажень:
559
Анотація:
Разброс параметров GaAs полевых транзисторов, вызванный неоднородным распределением глубоких центров, может прогнозироваться по концентрации незаполненных глубоких центров на границе "пленка-буферный слой".
