Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния

dc.contributor.author	Кулинич, О.А.
dc.contributor.author	Смынтына, В.А.
dc.contributor.author	Глауберман, М.А.
dc.contributor.author	Чемересюк, Г.Г.
dc.contributor.author	Яцунский, И.Р.
dc.date.accessioned	2014-01-03T23:28:21Z
dc.date.available	2014-01-03T23:28:21Z
dc.date.issued	2008
dc.identifier.citation	Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния / О.А. Кулинич, В.А. Смынтына, М.А. Глауберман, Г.Г. Чемересюк, И.Р. Яцунский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 5. — С. 62-64. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52492
dc.description.abstract	Показано, каким образом дефекты исходного кремния влияют на структурные изменения поверхности и приповерхностной области в процессе высокотемпературного окисления.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Материалы электроники	uk_UA
dc.title	Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния	uk_UA
dc.title.alternative	Вплив вихідних дефектів на розподіл механічних напруг и деформацій при окиснені кремнія	uk_UA
dc.title.alternative	The influence of initial defects on mechanical stress and deformation distribution in oxidized silicon	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA