Осаждение пленок TiN и TiO₂ в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления

dc.contributor.author	Костин, Е.Г.
dc.contributor.author	Демчишин, A.В.
dc.date.accessioned	2014-01-01T21:53:48Z
dc.date.available	2014-01-01T21:53:48Z
dc.date.issued	2008
dc.identifier.citation	Осаждение пленок TiN и TiO₂ в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления / Е.Г. Костин, A.В. Демчишин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 4. — С. 47-51. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52448
dc.description.abstract	Рассмотрена возможность контроля условий получения стехиометрических пленок TiN и TiO₂ по спектральным характеристикам плазмы магнетронного разряда и по изменению разрядного напряжения.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Технологические процессы и оборудование	uk_UA
dc.title	Осаждение пленок TiN и TiO₂ в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления	uk_UA
dc.title.alternative	Осадження плівок TiN та TiO₂ в оберненому циліндричному магнетроні методом реактивного розпилення	uk_UA
dc.title.alternative	Deposition of the TiN andTiO₂, films in the inverted cylindrical direct-current magnetron by a reactive sputtering	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA