Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем

dc.contributor.author	Шангереева, Б.А.
dc.date.accessioned	2013-12-30T23:17:00Z
dc.date.available	2013-12-30T23:17:00Z
dc.date.issued	2008
dc.identifier.citation	Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем / Б.А. Шангереева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 1. — С. 54-56. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52394
dc.description.abstract	Полученные оптимальные технологические режимы процесса диффузии фосфора с применением твердого планарного источника позволяют получать транзисторы с улучшенными электрофизическими характеристиками.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Технологические процессы и оборудование	uk_UA
dc.title	Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем	uk_UA
dc.title.alternative	Дифузія фосфору з використанням твердого планарного джерела у виробництві інтегральних схем	uk_UA
dc.title.alternative	Phosphorus diffusion with the help of the solid planar source in the manufacturing of the integrated circuit	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA