Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах

Abstract

Предложена технология формирования низкобарьерного катодного контакта Au.Ge.InP, обеспечивающая такие же выходные параметры диодов Ганна как и катодные контакты, полученные по более сложной технологии.

Досліджено міжфазні взаємодії в контактах Ge-Au, Ge-TiBx та Au-TiBx-Au до n-n⁺-n⁺⁺-InP до і після швидкоїѕтермічної обробки та вихідні параметри діодів Ганна, виготовлених на основі структури InP з контактною металізацією Au-TiBx-Au-Ge, в діапазоні температури -40...+60°С. Показано, що омічний контакт до шару InPѕ формується внаслідок дифузії атомів Ge і Au вглиб шару, а вихідні параметри діодів Ганна з такими катодними контактами відповідають параметрам діодів Ганна, які отримано за складнішою технологією.

The article presents the research on interactions between phases in the Ge-Au, Ge-TiBx and Au-TiBx-Au contacts to n-n⁺-n⁺⁺-InP, both before and after rapid thermal annealing, and also the output parameters of Gunn diodes based on the InP structure with Au-TiBx-Au-Ge contact metallization in the -40...+60°С temperature range. It is shown that ohmic contacts to InP layer are formed as a result of diffusion of Ge and Au atoms deep inside the layer . The output parameters of Gunn diodes with Au-TiBx-Au-Ge cathode contacts agree with the data obtained for InP Gunn diodes made with the use of more complicated technology.