Выявлены морфологические особенности в кристаллах A₂VB₃VI<примесь>, связанные с формированием межслоев различной толщины, которые играют принципиальную роль в аномалиях электронных свойств кристаллов.
На міжшаровій поверхні кристалів Bi₂Te₃<домішка> та Sb₂Te₃<домішка> у результаті самоорганізації формуються наноутворення наступних типів: пірамідальні включення, паралельні пластини та фрагменти, подібні фрактальної поверхні Кох. Виявлені морфологічні особливості в A₂VB₃VI<домішка>, пов'язані з формуванням міжшарів різної товщини, можуть зіграти принципову роль в аномаліях електронних властивостей.
On inter layer surfaces of crystals of Bi₂Te₃<impurity> and Sb₂Te₃<impurity> as a result of self-organisation are formed nano formations of following types: the pyramidal inclusions, parallel plates and the fragments similar Koch fractal surface. The revealed morphological features in A₂VB₃VI <impurity> crystals connected with formation of interlayers of various thickness can play a basic role in anomalies of electronic properties.