Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si

Abstract

Исследовал фотовольтаический эффект в изотипной гетероструктуре, образованной пленками нанокристаллического карбида кремния, осажденными на монокристаллические подложки из п-Si (гетеропереход п-SiC/п-Si). Пленки получали методом прямого ионного осаждения. Для объяснения особенностей вольт-амперных и фотоэлектрических характеристик гетероструктуры п-SiС/п-Si предложена модель, учитывающая присутствие в контактной области квантовых ям и потенциальных барьеров, обусловленных разрывами зон.

Досліджено фотовольтаїчний ефект в ізотипній ге-тероструктурі, утвореній плівками нанокристалічного карбіду кремнію, осадженими на монокрис-талічні підкладинки з n-Si (гетероперехід n-SiC/ n-Si). Плівки отримували методом прямого іонно-го осадження. Для пояснення особливостей вольт-амперних та фотоелектричних характеристик гетероструктури n-SiC/n-Si запропоновано модель, яка враховує присутність в контактній області квантових ям та потенційних бар’єрів, обумовлених розривами зон.

Photovoltaic effect in isotype heterotructure formed by nanocrystalline silicon carbide films on single crystal n-Si substrates (n-SiC/n-Si heterojunction) was studied. The films were produced by direct ionic deposition method. The model that takes into account the quantum wells and potential barriers caused by band offsets was proposed to explain the current-voltage characteristics and photovoltaic properties of the heterostructure n-SiC/n-Si.