Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012, № 5 за датою випуску

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012, № 5 за датою випуску

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Титульные страницы и содержание 
    Автор відсутній (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
  • Многоуровневые платы с толстопленочной полимерной изоляцией 
    Спирин, В.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Разработаны три конструктивно-технологических варианта многоуровневых плат, в которых в качестве межуровневой и защитной изоляции применяется термостойкая толстая (10—30 мкм) пленка фоточувствительного органического ...
  • Светодиодные показывающие электроизмерительные устройства на многопороговых компараторах 
    Оборский, Г.А.; Ковальков, В.И.; Тихенко, В.Н.; Слободяник, П.Т. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Рассмотрены принципы построения показывающих электроизмерительных устройств с оптическими шкалами, управляемыми непосредственно многопороговыми компараторами напряжения либо тока. Предложенные измерительные устройства со ...
  • Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом 
    Ермоленко, Е.А.; Бондаренко, А.Ф.; Баранов, А.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    В работе тепловая математическая модель использована для оценки саморазогрева полупроводниковых приборов в процессе измерения их вольт амперной характеристики импульсным способом. Про анализировано влияние саморазогрева ...
  • Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры 
    Дружинин, А.А.; Островский, И.П.; Ховерко, Ю.Н.; Ничкало, С.И.; Корецкий, Р.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Исследовано влияние магнитного поля на электрофизические свойства нитевидных нанокристал лов (НК) Si1–хGeх при низких температурах. Показано, что полевая зависимость сопротивления образцов, легированных до концентрации ...
  • Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества 
    Солодуха, В.А.; Турцевич, А.С.; Соловьёв, Я.А.; Рубцевич, И.И.; Керенцев, А.Ф. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Исследования диодов Шоттки с барьерной структурой на основе молибденовой пленки показали, что устойчивость структур к разрядам статического электричества зависит от параметров конструкции, а также от глубины охранного ...
  • Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si 
    Семенов, А.В.; Козловский, А.А.; Пузиков, В.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Исследовал фотовольтаический эффект в изотипной гетероструктуре, образованной пленками нанокристаллического карбида кремния, осажденными на монокристаллические подложки из п-Si (гетеропереход п-SiC/п-Si). Пленки получали ...
  • Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра 
    Добровольский, Ю.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Разработан алгоритм для компьютерного моделирования и анализа параметров, определяющих чувствительность фотодиодов с поверхностно-барьерной структурой на основе n⁺—n-GaP—SnO₂(F). Показано, что токовая монохроматическая ...
  • Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников 
    Бобренко, Ю.Н.; Комащенко, В.Н.; Ярошенко, Н.В.; Шереметова, Г.И.; Атдаев, Б.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Изучены спектральные, вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики тонкопленочных поверхностно-барьерных структур на основе соединений A²B⁶ с разным распределением концентрации носителей в области пространственного заряда, ...
  • Технология создания легированных бором слоев на алмазе 
    Зяблюк, К.Н.; Митягин, А.Ю.; Талипов, Н.Х.; Чучева, Г.В.; Духновский, М.П.; Хмельницкий, Р.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Исследовались природные кристаллы алмаза типа IIа и CVD алмазные пленки. Представлены электрофизические параметры структур, полученных при различных режимах ионной имплантации бора в кристалл и последующего отжига. Параметры ...
  • Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром 
    Турцевич, А.С.; Рубцевич, И.И.; Соловьев, Я.А.; Васьков, О.С.; Кононенко, В.К.; Нисс, В.С.; Керенце, А.Ф. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Исследованы дифференциальные профили распределения теплового сопротивления "переход-корпус" транзисторов КП723Г в зависимости от условий монтажа кристаллов в корпус. Спектры тепловых сопротивлений рассчитывались из анализа ...
  • Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем 
    Дранчук, С.Н.; Завадский, В.А.; Мокрицкий, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Разработана диффузионная модель жидкофазной эпитаксии двухслойной системы в условиях изменения скорости охлаждения раствора-расплава. Обнаружено, что после прекращения охлаждения переходный процесс продолжается, за счет ...
  • Список рецензентов номера 
    Автор відсутній (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис