Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»

dc.contributor.author	Кулинич, О.А.
dc.contributor.author	Яцунский, И.Р.
dc.contributor.author	Ештокина, Т.Ю.
dc.contributor.author	Брусенская, Г.И.
dc.contributor.author	Марчук, И.А.
dc.date.accessioned	2013-12-06T14:58:32Z
dc.date.available	2013-12-06T14:58:32Z
dc.date.issued	2012
dc.identifier.citation	Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si» / О.А. Кулинич, И.Р. Яцунский, Т.Ю. Ештокина, Г.И. Брусенская, И.А. Марчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 2. — С. 47-50. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51670
dc.description.abstract	Показана возможность использования метода фотолюминесценции для изучения механизмов пластической деформации на границе «оксид кремния — кремний» в процессе получения слоев наноструктурированного кремния деформационным методом.	uk_UA
dc.description.abstract	Показано можливість використання методу фотолюмінесценції для вивчення механізмів пластичної деформації на границі «оксид кремнію — кремній» в процесі отримання шарів наноструктурованого кремнію деформаційних методом.	uk_UA
dc.description.abstract	The possibility of using the photoluminescence method for studying the mechanisms of plastic deformation at the boundary of "SiO₂—Si" in the process of obtaining nanostructured silicon layers by deformation.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Материалы электроники	uk_UA
dc.title	Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»	uk_UA
dc.title.alternative	Фотолюмінесцент ний метод дослідження пластичної деформації на границі поділу «SiO₂—Si»	uk_UA
dc.title.alternative	Photoluminescent method for studying the plastic deformation at the boudary of «SiO₂—Si»	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	537.311.33:622.382.33