Вакив, Н.М.; Круковский, С.И.; Сукач, А.В.; Тетёркин, В.В.; Мрыхин, И.А.; Михащук, Ю.С.; Круковский, Р.С.
(Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
Получены эпитаксиальные гетероструктуры р⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, в которых металлургическая граница совпадает с электрической. Это достигается выращиванием дополнительного буферного слоя n-InP и уменьшением времени выращивания ...