Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012, № 5 за назвою

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012, № 5 за назвою

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Светодиодные показывающие электроизмерительные устройства на многопороговых компараторах 
    Оборский, Г.А.; Ковальков, В.И.; Тихенко, В.Н.; Слободяник, П.Т. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Рассмотрены принципы построения показывающих электроизмерительных устройств с оптическими шкалами, управляемыми непосредственно многопороговыми компараторами напряжения либо тока. Предложенные измерительные устройства со ...
  • Список рецензентов номера 
    Автор відсутній (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
  • Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом 
    Ермоленко, Е.А.; Бондаренко, А.Ф.; Баранов, А.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    В работе тепловая математическая модель использована для оценки саморазогрева полупроводниковых приборов в процессе измерения их вольт амперной характеристики импульсным способом. Про анализировано влияние саморазогрева ...
  • Технология создания легированных бором слоев на алмазе 
    Зяблюк, К.Н.; Митягин, А.Ю.; Талипов, Н.Х.; Чучева, Г.В.; Духновский, М.П.; Хмельницкий, Р.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Исследовались природные кристаллы алмаза типа IIа и CVD алмазные пленки. Представлены электрофизические параметры структур, полученных при различных режимах ионной имплантации бора в кристалл и последующего отжига. Параметры ...
  • Титульные страницы и содержание 
    Автор відсутній (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
  • Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра 
    Добровольский, Ю.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Разработан алгоритм для компьютерного моделирования и анализа параметров, определяющих чувствительность фотодиодов с поверхностно-барьерной структурой на основе n⁺—n-GaP—SnO₂(F). Показано, что токовая монохроматическая ...
  • Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si 
    Семенов, А.В.; Козловский, А.А.; Пузиков, В.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Исследовал фотовольтаический эффект в изотипной гетероструктуре, образованной пленками нанокристаллического карбида кремния, осажденными на монокристаллические подложки из п-Si (гетеропереход п-SiC/п-Si). Пленки получали ...

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис