Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012 за темою "Технологические процессы и оборудование"

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012 за темою "Технологические процессы и оборудование"

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром 
    Турцевич, А.С.; Рубцевич, И.И.; Соловьев, Я.А.; Васьков, О.С.; Кононенко, В.К.; Нисс, В.С.; Керенце, А.Ф. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Исследованы дифференциальные профили распределения теплового сопротивления "переход-корпус" транзисторов КП723Г в зависимости от условий монтажа кристаллов в корпус. Спектры тепловых сопротивлений рассчитывались из анализа ...
  • Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста 
    Наливайко, О.Ю.; Турцевич, А.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Исследовано влияние условии осаждения на состав пленок полукристаллического кремния, легированного в процессе роста кислородом (Г/КЛК). Разработана адсорбционно-кинетическая модель процесса осаждения ПКЛК с использованием ...
  • Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем 
    Дранчук, С.Н.; Завадский, В.А.; Мокрицкий, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Разработана диффузионная модель жидкофазной эпитаксии двухслойной системы в условиях изменения скорости охлаждения раствора-расплава. Обнаружено, что после прекращения охлаждения переходный процесс продолжается, за счет ...
  • Метод оценки качества тонкопленочной платы 
    Спирин, В.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Разработан метод оценки качества тонкопленочной платы, который основан на результатах измерения сопротивления резисторов и вычисления их инструментальных погрешностей. Применение данного метода позволяет увеличить выход ...
  • Подключающее МЭМС-устройство для контроля BGA-компонентов 
    Невлюдов, И.Ш.; Мартыняк, Р.М.; Палагин, В.А.; Слободян, Б.С.; Разумов-Фризюк, Е.А.; Жарикова, И.В.; Дмитрив, М.И.; Беляев, А.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Разработано многозондовое подключающее устройство для входного и функционального контроля электронных компонентов с матричными шариковыми выводами, обеспечивающее бездефектное пневматическое прижатие зондов к выводам.
  • Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм 
    Наливайко, О.Ю.; Турцевич, А.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Исследовано влияние режимов осаждения нитрида кремния на параметры полученных пленок. Установлено, что с уменьшением температуры осаждения скорость осаждения пленок нитрида кремния уменьшается, при этом повышается однородность ...
  • Технология создания легированных бором слоев на алмазе 
    Зяблюк, К.Н.; Митягин, А.Ю.; Талипов, Н.Х.; Чучева, Г.В.; Духновский, М.П.; Хмельницкий, Р.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Исследовались природные кристаллы алмаза типа IIа и CVD алмазные пленки. Представлены электрофизические параметры структур, полученных при различных режимах ионной имплантации бора в кристалл и последующего отжига. Параметры ...

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис