Universal experimental facility of IHEPNP NSC KIPT for research of high-energy electron beam interaction with thin amorphous and single-crystal structures

Abstract

The description and bench test results of the developed universal experimental facility [1] are presented. It mounted at the direct beam line of IHEPNP NSC KIPT 30 MeV Linac for the fundamental and applied research of high energy electron interaction with amorphous and single-crystal structures. The universal facility consists of the following structural elements and systems: electron beam transportation system; electron beam parameters formation and measurement, secondary electron emission monitor (SEM); electron beam full absorption Faraday cups (FC), collimators, goniometrical device system and magnetic energy analyzer.

Представлено опис та результати стендових випробувань розробленої універсальної експериментальної установки [1]. Установка зібрана на прямому виході лінійного прискорювача електронів з енергією 30 МеВ ІФВЕЯФ ННЦ ХФТІ для фундаментальних та прикладних досліджень щодо взаємодії електронів високих енергій з аморфними та монокристалічними структурами. Універсальна установка складається з наступних конструктивних елементів та систем: монітора вторинної емісії електронів; циліндрів Фарадея повного поглинання; коліматорів; гоніометра; магнітного аналізатора енергії електронів; системи транспортування формування та вимірювання параметрів електронного пучка.

Представлено описание и результаты стендовых испытаний разработанной универсальной экспериментальной установки [1]. Установка собрана на прямом выходе линейного ускорителя электронов с энергией 30 МэВ ИФВЭЯФ ННЦ ХФТИ для фундаментальных и прикладных исследований по взаимодействию электронов высоких энергий с аморфными и монокристаллическими структурами. Универсальная установка состоит из следующих конструктивных элементов и систем: монитора вторичной эмиссии электронов; цилиндров Фарадея полного поглощения; коллиматоров; гониометра; магнитного анализатора энергии электронов; систем транспортировки, формирования и измерения параметров электронного пучка.