Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд Відділення фізики і астрономії за автором "Абдулхаев, О.А."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Відділення фізики і астрономії за автором "Абдулхаев, О.А."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью 
    Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Абдулхаев, О.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)
    Показано, что механизм токопереноса через p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-структуру определяется инжекционно-туннельным и генерационно-рекомбинационным механизмами. Структуры представляют интерес для создания ограничителей напряжения ...
  • Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания 
    Абдулхаев, О.А.; Ёдгорова, Д.М.; Каримов, А.В.; Кулиев, Ш.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2015)
    Приведены результаты исследования тонкобазовой германиевой р+—n—p-структуры с эффектом смыкания при различных режимах включения. Экспериментально показано, что в режиме запирания р+—n-перехода из-за полного обеднения базовой ...
  • Исследование влияния потенциальных барьеров на механизмы токопереноса во встречновключенных двухбарьерных кремниевых структур 
    Абдулхаев, О.А.; Асанова, Г.О.; Ёдгорова, Д.М.; Якубов, Э.Н.; Каримов, А.В. (Физическая инженерия поверхности, 2011)
    Приведены результаты исследования механизмов токопереноса кремниевой фотодиодной Au-nSi-Al-структуры в зависимости от общего напряжения и падающих на каждом переходе напряжений. Экспериментально установлено, что различие ...
  • Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры 
    Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Абдулхаев, О.А.; Каримов, А.А.; Асанова, Г.О. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    Показана возможность увеличения выдерживаемой прибором мощности за счет уменьшения толщины базовой области для заданной температуры нагрева и скважности импульса.
  • Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения 
    Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Рахматов, А.З.; Скорняков, С.Л.; Петров, Д.А.; Абдулхаев, О.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)
    Предложен новый метод измерения на пряжения ограничения, предназначенный для измерения параметров мощных импульсных токов ограничителей напряжения. Погрешность метода в два раза меньше погрешности известного метода прямого ...
  • Исследование переходных процессов в кремниевой p⁺pn⁺-структуре 
    Абдулхаев, О.А.; Асанова, Г.О.; Гиясова, Ф.А.; Ёдгорова, Д.М.; Каримов, А.А.; Каримов, А.В. (Физическая инженерия поверхности, 2011)
    На основании исследования переходных характеристик кремниевой p⁺pn⁺-структуры методом переключения из прямого направления на обратное определены зависимости времени жизни неосновных носителей заряда и времени восстановления ...
  • Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами 
    Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Гиясова, Ф.А.; Мирджалилова, М.А.; Асанова, Г.О.; Абдулхаев, О.А.; Мухутдинов, Ж.Ф. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013)
    Приведены результаты исследований двухбарьерной фотодиодной кремниевой структуры с встречновключенными выпрямляющими переходами «металл полупроводник» в фотодиодном и фотовольтаическом режимах включения. Такие структуры ...
  • Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами 
    Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Абдулхаев, О.А.; Якубов, Э.Н.; Юлдашев, Ш.Ш.; Тураев, А.А. (Физическая инженерия поверхности, 2012)
    Приведены результаты исследования динамической модуляции канала полевого транзистора с помощью второго последовательно соединенного к истоку полевого транзистора выполняющего функцию двойного затвора за счет управляемого ...
  • Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура 
    Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Абдулхаев, О.А.; Гиясова, Ф.А.; Назаров, Ж.Т. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)
    Приведены особенности технологии изготовления и фотоэлектрических характеристик обратновключенной n–p–m-структуры на основе арсенида галлия.
  • Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами 
    Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Гиясова, Ф.А.; Зоирова, Л.Х.; Абдулхаев, О.А.; Джураев, Д.Р. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)
    Исследовано влияние последовательно соединенных потенциальных барьеров на физические процессы, протекающие в гетеропереходе на примере одно- и многобарьерных структур. В результате модификации увеличивается фоточувствительность ...
  • Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе 
    Каримов, А.В.; Джураев, Д.Р.; Ёдгорова, Д.М.; Рахматов, А.З.; Абдулхаев, О.А.; Каманов, Б.М.; Тураев, А.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)
    Установленная взаимосвязь между током стабилизации и внешним сопротивлением, соединяющим исток с затвором, представляет интерес при разработке источников и ограничителей тока.
  • Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки 
    Каримов, А.В.; Рахматов, А.З.; Абдулхаев, О.А.; Арипова, У.Х.; Хидирназарова, А.Ю.; Кулиев, Ш.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2018)
    Приведены результаты исследования вольт-амперных и емкостных характеристик кремниевой диод-ной р+—р—n—n+-структуры, облученной флюенсами быстрых электронов, до и после термической обработки. Показано, что после термической ...
  • Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния 
    Рахматов, А.З.; Скорняков, С.Л.; Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Абдулхаев, О.А.; Бузруков, У.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010)
    Исследованы процессы высококонцентрационной диффузии мышьяка в вакуумированных ампулах, влияния на параметры диффузионных р-n-переходов сверхтонких слоев оксида на кремнии. Обоснован выбор режимов и источника диффузии для ...
  • Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах 
    Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Абдулхаев, О.А. (Физическая инженерия поверхности, 2015)
    Экспериментально показано, что германиевые p⁺np- и кремниевые n⁺⁺pnn⁺-структуры в режиме запирания перехода со слаболегированной областью выполняют функцию биполярного транзистора с соответствующим рабочим диапазоном и ...
  • Фототранзистор составной на полевых транзисторах 
    Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Абдулхаев, О.А.; Каманов, Б.М.; Гиясова, Ф.А. (Физическая инженерия поверхности, 2012)
    Экспериментально установлено, что в составном полевом транзисторе, где сток первого транзистора соединен со стоком второго транзистора, а исток присоединен к затвору с последовательно соединенным резистором, при освещении ...
  • Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения 
    Абдулхаев, О.А.; Гиясова, Ф.А.; Ёдгорова, Д.М.; Каманов, Б.М.; Каримов, А.В. (Физическая инженерия поверхности, 2012)
    Проведены исследования функциональных характеристик полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах и схемах включения. Экспериментально установлено, что максимальные значения токов стока при соединении ...
  • Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры 
    Абдулхаев, О.А.; Ёдгорова, Д.М.; Каримов, А.В.; Якубов, А.А.; Кулиев, Ш.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2018)
    Приведены результаты исследования механизма токопереноса и спектральной фоточувствительности трехбарьерной фотодиодной структуры m1—pGaAs—nGaAs—m2 с эффектом смыкания двух смежных переходов, которая при обеих полярностях ...
  • Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре 
    Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Абдулхаев, О.А. (Физическая инженерия поверхности, 2014)
    В двухбарьерной кремниевой n⁺⁺pnn⁺-структуре в режиме запирания nn⁺-p-перехода в предпробойной области при подсветке одиночным импульсом обнаружено явление оптической памяти, а при подаче прямого порогового тока к p-n-переходу ...

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис