Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры

Abstract

Приведены результаты исследования механизма токопереноса и спектральной фоточувствительности трехбарьерной фотодиодной структуры m1—pGaAs—nGaAs—m2 с эффектом смыкания двух смежных переходов, которая при обеих полярностях включения обладает высокой фоточувствительностью в «примесной» области спектра. Полученные результаты указывают на перспективность данных структур для применения в оптических системах связи.

Приведены результаты исследования механизма токопереноса и спектральной фоточувствительности трехбарьерной фотодиодной структуры m1—pGaAs—nGaAs—m2 с эффектом смыкания двух смежных переходов, которая при обеих полярностях включения обладает высокой фоточувствительностью в «примесной» области спектра. Полученные результаты указывают на перспективность данных структур для применения в оптических системах связи.

The work is devoted to the study of physical features of electronic processes taking place in the space charge region and in the base region of arsenide-gallium three-barrier photodiode structures with the effect of locking two adjacent transitions. The structures have high photosensitivity in the «impurity» region of the spectrum at both inclusion polarities. The obtained results suggest that such structures can be used in optical communication systems.