Магниторезистивные свойства неоднородного состояния антиферромагнитных полупроводников

Abstract

На основе представлений, развитых для описания магниторезистивных эффектов в слоистых и гранулированных магнитных металлах, рассмотрена феноменологическая модель магниторезистивных свойств магнитонеоднофазного состояния легированных магнитных полупроводников. Предположив существование магнитонеоднофазного состояния для манганитов со структурой перовскита, в рамках рассмотренного подхода удается с единых позиций описать гигантские магниторезистивные эффекты как фаз манганитов с антиферромагнитным упорядочением и полупроводниковым типом проводимости, так и фаз с ферромагнитными свойствами и металлическим типом проводимости.

На основі уявлень, розвинутих для опису магніторезистивних ефектів у шаруватих і гранульованих магнітних металах, розглянуто феноменологічну модель магніторезистивних властивостей магнітонеодно-фазного стану легованих магнітних напівпровідників. Припустив існування магнітонеоднофазного стану для манганитів з структурою перовскіта, в рамках розглянутого підходу удається з єдиних позицій описати великі магніторезистивні ефекти як фаз манганитів з антиферомагнітним упорядкуванням і напівпровідниковим типом провідності, так і фаз з феромагнітними властивостями і металевим типом провідності.

The phenomenological model of magnetoresistive properties of magneto-non-single-phase state of alloyed magnetic semiconductors is considered using the concept derived for a description of magnetoresistive effects in layered and granular magnetic metals. By assuming that there exists a magneto-non-single state in the manganites having the perovskite structure, it is possible to describe, in the framework of above approach, large magnetoresistive effects of manganite phases with antiferromagnetic order and semiconductor-type conductivity as well as those with antiferromagnetic properties and metallic-type conductivity.