Методом дифракции быстрых электронов на просвет определено изменение периода решетки Δа/а монокристаллических пленок фуллерита C₆₀ толщиной менее 10 нм. В интервале температур от комнатной до азотной величина Δа/а увеличивается с уменьшением толщины пленок. По этим данным определены коэффициенты линейного расширения пленок αf и поверхностного атомного слоя αs . Величина αs вдоль плоскости (111) равна (55 ± 15)*10⁻⁶ К⁻¹.
Методом дифракції швидких електронів на проходження вивчено зміну періоду Δа/а гратки монокристалічних плівок фулеріту C₆₀ завтовшки менш 10 нм. У інтервалі температур від кімнатної до азотної величина Δа/а збільшується із зменшенням товщини плівок. За цими даними визначено коефіцієнти лінійного розширення плівок αf та поверхневого атомного шару αs . Величина αs вздовж площини (111) дорівнює (55 ± 15)*10⁻⁶ К⁻¹.
The change in the lattice parameter Δa/a of monocrystalline C₆₀ films of thickness less than 10 nm is determined by the transmission high-energy electron diffraction method. In the temperature range 90–260 K, the value of Δa/a increases with decreasing film thickness. The results are used for calculating the coefficients αf and αs of linear thermal expansion of the films and of the surface atomic layer. The value of αs along the (111) plane is equal to (55±15)*10⁻⁶ К⁻¹.