Электронные свойства золотых нанотрубок (5, 3) и (5, 0) в модели Хаббарда в приближении статических флуктуаций

Abstract

Приведен теоретический анализ электронных свойств одностенных золотых нанотрубок хиральностей (5, 3) и (5, 0) по мере роста нанотрубок. Проведено сравнение результатов исследования одностенных золотых нанотрубок (5, 3) и (5, 0) с результатами работы X.P. Yang и J.M. Dong. Использованная нами модель Хаббарда при определенном выборе параметров модели позволяет объяснить данные, которые получены с помощью теории функционала электронной плотности. По нашим результатам получается, что при росте золотых нанотрубок имеет место только переход полупроводник–металл без осцилляций полупроводник–металл–полупроводник–металл, как это следует из работы X.P. Yang и J.M. Dong, Phys. Rev. B 71, 233403 (2005).

Наведено теоретичний аналіз електронних властивостей одностінних золотих нанотрубок з хіральністю (5, 3) і (5, 0) зі зростанням нанотрубок. Проведено порівняння результатів дослідження одностінних золотих нанотрубок (5, 3) і (5, 0) з резутатамі роботи X.P. Yang та J.M. Dong, Використана нами модель Хаббарда при певному виборі параметрів моделі дозволяє пояснити дані, які отримані за допомогою теорії функціоналу електронної густини. За нашими результатами виходить, що при зростанні золотих нанотрубок має місце тільки перехід «напівпровідник-метал» без осциляцій «напівпровідник-метал-напівпровідник-метал», як це випливає з роботи [X.P. Yang, J.M. Dong, Phys. Rev. B 71, 233403 (2005)].

Theoretical analysis of the electronic properties of singlewalled gold nanotubes of chiralities (5, 3) and (5, 0) with the growth of nanotubes is given in comparison. The results of the study of single-walled gold nanotubes (5,3) and (5, 0) were compared with the work of Yang X.P. and Dong J.M. (2005). The Hubbard model we used with a certain choice of model parameters allows us to explain the data obtained using the electron density functional theory, but according to our results, with the growth of gold nanotubes, only the semiconductor–metal transition without semiconductor–metal–semiconductor–metal oscillations takes place as it follows from the work of X.P. Yang and J.M. Dong (2005).