С помощью метода линеаризованных присоединенных плоских волн рассчитан энергетический спектр электронов в тонких пленках Tl₂Ba₂СuО₆ и Tl₂Ba₂СаСu₂О₈. На основании результатов зонного расчета для каждой пленки вычислены полные и локальные парциальные плотности электронных состояний, а также проведен теоретический расчет рентгеновских эмиссионных ОКα- и СuLα-спектров. Обсуждается зависимость электронной структуры и рентгеновских эмиссионных спектров от количества слоев СuС₂ в элементарной ячейке пленок.
За допомогою методу лінеаризованих приєднаних плоских хвиль розраховано енергетичний спектр електронів в тонких плівкахTl₂Ba₂СuО₆ і Tl₂Ba₂СаСu₂О₈.. На підставі результатів зонного розрахунку для кожної плівки обчислено повні і локальні парціальні густини електронних станів, а також зроблено теоретичний розрахунок рентгенівських емісійних ОКα- та СuLα-спектрів. Обговорюється залежність електронної структури і рентгенівських емісійних спектрів від кількості шарів СuС₂ в елементарній комірці плівок.
The electronic structure of Tl₂Ba₂СuО₆ and Tl₂Ba₂СаСu₂О₈. thin films has been investigated by the linearized augmented plane wave method. On the basis of the resutts of the energy band structure calculation -for each film, total and local partial densities of electronic states have been calculated. Also, theoretical calculation of x-ray emission ОКα- and СuLα spectra have been performed. Dependence of the electronic structure and x-ray emission spectra on the number of СuС₂ layers in the film unit cell is analyzed.
