В результате исследований закономерностей механического полирования оптоэлектронных элементов из кристаллических материалов установлено, что параметры шероховатости обработанных поверхностей линейно возрастают при увеличении наиболее вероятных значений размеров и площади поверхности частиц шлама, объема элементарной ячейки и площади обрабатываемой грани кристалла. Показана обратно пропорциональная зависимость параметров шероховатости от энергии, которая затрачивается на образование частиц шлама. Относительная шероховатость обработанных поверхностей кристаллов карбида кремния, нитрида галлия, нитрида алюминия и сапфира характеризуется соотношением 0,68:0,67:0,63:1,00.
В результаті дослідження закономірностей механічного полірування оптоелектронних елементів з кристалічних матеріалів установлено, що параметри шорсткості оброблених поверхонь лінійно зростають при збільшенні найбільш ймовірних значень розмірів та площі поверхні частинок шламу, об’єму елементарної комірки та площі обробленої грані кристалу. Показана обернено пропорційна залежність параметрів шорсткості від енергії, що витрачається на утворення частинок шламу. Відносна шорсткість оброблених поверхонь кристалів карбіду кремнію, нітриду галію, нітриду алюмінію та сапфіру характеризується співвідношенням 0,68:0,67:0,63:1,00.
The investigation of the mechanism of mechanical polishing of optoelectronic components made of crystalline materials has demonstrated that the machined surface roughness parameters grow linearly with increasing most probable values of debris particle size and surface area, unit cell volume, and surface area of the crystal plane machined. The surface roughness parameters are shown to be inversely proportional to the energy spent for the debris particle formation. The relative surface roughness of the polished silicon carbide, gallium nitride, aluminum nitride, and sapphire workpieces is represented by the following ratio:
