Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Emergence of topological Mott insulators in proximity of quadratic band touching points

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Mandal, I.
dc.contributor.author Gemsheim, S.
dc.date.accessioned 2019-06-20T03:49:27Z
dc.date.available 2019-06-20T03:49:27Z
dc.date.issued 2019
dc.identifier.citation Emergence of topological Mott insulators in proximity of quadratic band touching points / I. Mandal, S. Gemsheim // Condensed Matter Physics. — 2019. — Т. 22, № 1. — С. 13701: 1–10. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1607-324X
dc.identifier.other PACS: 73.43.-f, 73.43.Nq, 71.10.Fd
dc.identifier.other DOI:10.5488/CMP.22.13701
dc.identifier.other arXiv:1808.03560
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/157475
dc.description.abstract Recently, the field of strongly correlated electrons has begun an intense search for a correlation induced topological insulating phase. An example is the quadratic band touching point which arises in a checkerboard lattice at half-filling, and in the presence of interactions gives rise to topological Mott insulators. In this work, we perform a mean-field theory computation to show that such a system shows instability to topological insulating phases even away from half-filling (chemical potential µ = 0). The interaction parameters consist of on-site repulsion (U), nearest-neighbour repulsion (V), and a next-nearest-neighbour correlated hopping (tc). The tc interaction originates from strong Coulomb repulsion. By tuning the values of these parameters, we obtain a desired topological phase that spans the area around (V = 0, µ = 0), extending to regions with (V > 0, µ = 0) and (V > 0, µ > 0). This extends the realm of current experimental efforts to find these topological phases. uk_UA
dc.description.abstract Нещодавно, у галузi фiзики сильно скорельованих електронiв розпочались iнтенсивнi дослiдження кореляцiйно iндукованої топологiчної дiелектричної фази. Прикладом може слугувати точка дотику квадратичної зони, яка виникає на ґратцi типу шахiвницi при напiвзаповненнi, i в присутностi взаємодiй призводить до появи топологiчних мотiвських дiелектрикiв. В цiй роботi, ми здiйснили обчислення в наближеннi середнього поля, щоб показати, що дана система демонструє нестiйкiсть по вiдношенню до топологiчних дiелектричних фаз навiть далеко вiд напiвзаповнення (хiмiчний потенцiал µ = 0). Параметри взаємодiї включають в себе одновузлове вiдштовхування (U), вiдштовхування мiж найближчими сусiдами (V) та наступнi за найближчими сусiдами скорельованi стрибки (tc). Взаємодiя tc виникає завдяки сильному кулонiвському вiдштовхуванню. Регулюючи значення цих параметрiв, ми отримали бажану топологiчну фазу, яка охоплює область в межах (V = 0, µ = 0), розповсюджуючись до областей з (V > 0, µ = 0) та (V > 0, µ > 0). Це дає змогу розширити область поточних експериментальних зусиль з метою знаходження цих топологiчних фаз. uk_UA
dc.description.sponsorship We acknowledge Sumanta Tewari for suggesting the problem. We thank Girish Sharma for collaboration in the initial stages of the project. We also thank Matthias Punk, Nyayabanta Swain, Vito Scarola and Hoi Hui for fruitful discussions. Lastly, we express our deepest gratitude to Michael J. Lawler for carefully going through the manuscript and suggesting improvements. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики конденсованих систем НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Condensed Matter Physics
dc.title Emergence of topological Mott insulators in proximity of quadratic band touching points uk_UA
dc.title.alternative Поява топологiчних мотiвських дiелектрикiв поблизу точок дотику квадратичної зони uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис